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半導体レーザー及び単一偏光モード光の発生方法

文献类型:专利

作者渡邉 明佳; 菅 博文
发表日期1998-08-11
专利号JP1998215022A
著作权人科学技術振興事業団
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザー及び単一偏光モード光の発生方法
英文摘要【課題】 適切なマウント材を選択することにより、半導体レーザー中の無歪み化、あるいは圧縮·引っ張り歪みを故意に発生させ、単一の偏光特性を得ることができる機械歪みにより制御された半導体レーザー及び単一偏光モード光の発生方法を提供する。 【解決手段】 マウント材1と、このマウント材1上に形成されるリッジ型半導体レーザー素子10と、前記マウント材1及び前記リッジ型半導体レーザー素子10に機械歪みを加える手段とを備え、前記マウント材1と前記リッジ型半導体レーザー素子10の熱膨張係数差を利用し、単一の偏光モード光を発生させる。
公开日期1998-08-11
申请日期1997-01-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87171]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位科学技術振興事業団
推荐引用方式
GB/T 7714
渡邉 明佳,菅 博文. 半導体レーザー及び単一偏光モード光の発生方法. JP1998215022A. 1998-08-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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