氮化物半导体发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 中村修二; 长滨慎一; 岩佐成人; 清久裕之 |
| 发表日期 | 2003-06-25 |
| 专利号 | CN1426119A |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光器件 |
| 英文摘要 | 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。 |
| 公开日期 | 2003-06-25 |
| 申请日期 | 1995-12-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87183]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村修二,长滨慎一,岩佐成人,等. 氮化物半导体发光器件. CN1426119A. 2003-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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