半導体素子の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 山越 英男; 水井 順一; 田坂 佳之 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145559A |
| 著作权人 | MITSUBISHI HEAVY IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高効率なII-VI 族半導体素子の作製方法を提供する。 【解決手段】 基板上にII-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長により得られた成長層へ電流を注入する電極膜と上記エピタキシャル膜との間に用いる絶縁膜を配した半導体素子を作成方法であって、上記絶縁膜がポリイミド前駆体を化学的脱水剤によって閉環イミド化することによりポリイミドの膜とする。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87186]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI HEAVY IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山越 英男,水井 順一,田坂 佳之. 半導体素子の作製方法. JP1999145559A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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