半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渥美 欣也; 木村 裕治; 安部 克則; 松下 規由起 |
| 发表日期 | 1996-02-16 |
| 专利号 | JP1996046289A |
| 著作权人 | 日本電装株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ボンディング時にオーミックコンタクト領域にダメージが入らないようにして信頼性の高い半導体レーザを得る。 【構成】 半導体基板21上に、第1の半導体クラッド層23、半導体活性層24、第2の半導体クラッド層25等を積層し、さらに上面に幅が100μm以上のストライプ状の開口部270を有する絶縁膜27を形成し、その開口部270に上部電極28をオーミックコンタクトをとるようにして、半導体レーザ素子10を構成する。この半導体レーザ素子10をヒートシンク40上に設置し、オーミックコンタクト領域280から外れた領域100から加圧してダイボンディングを行い、半導体レーザ素子10をヒートシンク40に接合する。 |
| 公开日期 | 1996-02-16 |
| 申请日期 | 1994-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87194]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電装株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渥美 欣也,木村 裕治,安部 克則,等. 半導体レーザの製造方法. JP1996046289A. 1996-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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