半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 瀬古 保次; 乙間 広己; 植木 伸明; 福永 秀樹; 中山 秀生; 上柳 喜一; 白木 靖寛 |
| 发表日期 | 1994-03-11 |
| 专利号 | JP1994069593A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ装置の製造上、特性上の問題を解決する。 【構成】 クラッド層が活性層15よりバンドギャップの大きく、かつ厚さ0.003-0.3μmの第1クラッド層14,16と、活性層より屈折率の低い第2クラッド層13,17とからなり、第1クラッド層を第2クラッド層よりも活性層側に配置した。この構成により、第1クラッド層は活性層にキャリアを閉じ込め、また第2クラッド層は活性層に光を閉じ込める。第1クラッド層を薄膜で形成するため、キャリアがトンネル現象により活性層から外へ移動しにくく、またその格子定数が少々異なっても基板に格子整合させることができる。したがって、第2クラッド層はバンドギャップの大きさに無頓着に材料を選択できるため、レーザの発振しきい値電流密度の低減や温度特性を向上させることが可能となる。 |
| 公开日期 | 1994-03-11 |
| 申请日期 | 1992-08-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87196]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀬古 保次,乙間 広己,植木 伸明,等. 半導体レーザ装置. JP1994069593A. 1994-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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