III族窒化物発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 天野 浩; 赤崎 勇; 田中 利之; 當摩 照夫; 真部 勝英 |
| 发表日期 | 1995-10-20 |
| 专利号 | JP1995273366A |
| 著作权人 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 アクセプタ不純物の成長層内部の相互拡散を抑制し、所望の発光中心以外の発光中心の活性化を抑えた高精度の青緑色·青色·紫外発光ダイオード及び半導体レーザダイオードの製造方法を提供する。 【構成】 II族元素が添加されたIII族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層からなる半導体発光素子の製造方法であって、II族元素が添加された少なくとも1つのIII族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を形成する工程と、結晶層の最表面上に低加速電子線を照射し、結晶層のみを改質する低加速電子線照射処理工程と、結晶層の最表面上に光エネルギーを吸収する薄膜を形成する工程と、光エネルギーを吸収する薄膜を加熱手段により、加熱し、結晶層のみを改質する表面パルス加熱処理工程とを含む。 |
| 公开日期 | 1995-10-20 |
| 申请日期 | 1994-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87203]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 天野 浩,赤崎 勇,田中 利之,等. III族窒化物発光素子の製造方法. JP1995273366A. 1995-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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