半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石川 信 |
| 发表日期 | 1998-12-18 |
| 专利号 | JP2865160B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ミスフィット転位の導入を抑制して劣化を防止する。メサストライプ形状を精度よく形成しうるようにして特性のバラツキを抑える。 【構成】 n-GaAs基板1上にストライプ状の開口部を有する誘電体マスクを形成し、MOVPE法によりn-Al0.4Ga0.6Asクラッド層3、In0.2Ga0.8As-SCH活性層4、p-Al0.4Ga0.6Asクラッド層5、p-GaAs保護層6順次成長させる。誘電体マスクを除去し、MOVPE法により、n-Al0.4Ga0.6As埋め込み層7、p-GaAs埋め込み層8を成長させ、その上に絶縁膜12を全面に堆積し、ストライプ上部の絶縁膜12を除去する。絶縁膜12をマスクとして、Znをドープしてp+-拡散層9を形成する。n側電極10、p側電極11を形成した後、へき開を行う。 |
| 公开日期 | 1999-03-08 |
| 申请日期 | 1995-07-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87213]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 信. 半導体レーザの製造方法. JP2865160B2. 1998-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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