Semiconductor laser element
文献类型：专利
| 作者 | KURIHARA HARUKI |
| 发表日期 | 1989-10-25 |
| 专利号 | JP1989268179A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser element |
| 英文摘要 | PURPOSE:To obtain a semiconductor laser element of a structure having simple and excellent manufacturing yield by forming each clad layer in a 2-layer structure of a layer made of (AlyGa1-y)etaIn1-etaP (eta=approx. 0.5, x |
| 公开日期 | 1989-10-25 |
| 申请日期 | 1988-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87215]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KURIHARA HARUKI. Semiconductor laser element. JP1989268179A. 1989-10-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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