エピタキシャルウェハおよびそれを用いた半導体レーザ素子ならびにその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松原 秀樹; 三浦 祥紀; 関 壽; 纐纈 明伯 |
| 发表日期 | 1996-10-11 |
| 专利号 | JP1996264901A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | エピタキシャルウェハおよびそれを用いた半導体レーザ素子ならびにその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 GaN系エピタキシャル結晶を用いた、低コストで安定なレーザ素子およびその製造方法を提供する。 【構成】 導波路に設けた周期的な回折格子により導波光を反射する現象を利用した半導体レーザ素子であって、その表面に回折格子9が形成されたGaAs半導体基板1と、基板1上に形成された厚さが10nm〜80nmのGaNからなる第1のバッファ層2と、第1のバッファ層2上に形成されたGaNからなる第2のバッファ層3と、第1のバッファ層2と第2のバッファ層3との界面に位置する不整合面8と、第2のバッファ層3上に形成された第1のクラッド層4と、第1のクラッド層4上に形成された活性領域5と、活性領域5上に形成された第2のクラッド層6と、第2のクラッド層6上に形成されたコンタクト層7とを含む。 |
| 公开日期 | 1996-10-11 |
| 申请日期 | 1995-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87220]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 秀樹,三浦 祥紀,関 壽,等. エピタキシャルウェハおよびそれを用いた半導体レーザ素子ならびにその製造方法. JP1996264901A. 1996-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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