半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 川中 敏; 柳沢 浩徳 |
| 发表日期 | 1994-03-11 |
| 专利号 | JP1994069589A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 活性層横方向に対してバンド構造を変形させストライプ領域のバンドギャップエネルギーを小さく設定してキャリア閉じ込めを確保させる。 【構成】 (001)面から〔110〕〔-1-10〕方向に15.8°傾いた面を有するn型GaAs基板1’の上にn型GaInPバッファ層3,n型(Aly2Ga1-y2)αIn1-αP光導波層13,多重量子井戸活性層21,p型(Aly2Ga1-y2)αIn1-αP光導波層15,p型 Ga0.5In0.5Pバッファ層18をエピタキシャル成長した。次に、ホトリソグラフィーによりSiO2マスクを形成し、ケミカルエッチングにより層15を約0.15μm残すところまで層18と層15をエッチング除去してリッジストライプを形成する。さらに、SiO2マスクを残したまま、n型GaδIn1-δP歪薄膜層22,n型GaAs電流狭窄兼光吸収層9を選択成長する。この後、p型GaAsコンタクト層10を埋め込み成長し、次にp電極11及びn電極12をそれぞれ蒸着して素子を得る。 |
| 公开日期 | 1994-03-11 |
| 申请日期 | 1992-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87238]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,川中 敏,柳沢 浩徳. 半導体レーザ素子. JP1994069589A. 1994-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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