半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 金森 勝彦; 木村 裕治; 高木 守 |
| 发表日期 | 1997-06-06 |
| 专利号 | JP1997148666A |
| 著作权人 | 株式会社デンソー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 上部電極の段切れおよび高抵抗化を防止し、電流-光出力特性を良好にする。 【解決手段】 N型GaAs基板2上に、N型クラッド層3、活性層4、P型クラッド層5を積層し、その上面に窓開け部7を有する絶縁層6を形成し、さらにその上面に上部電極8を形成してなる半導体レーザ素子1において、絶縁層6のエッジ部6aをテーパ形状にした。 |
| 公开日期 | 1997-06-06 |
| 申请日期 | 1995-11-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87248]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社デンソー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金森 勝彦,木村 裕治,高木 守. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1997148666A. 1997-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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