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波長可変半導体レーザ

文献类型:专利

作者関口 芳信; 中田 透
发表日期1993-10-29
专利号JP1993283816A
著作权人キヤノン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名波長可変半導体レーザ
英文摘要【目的】 活性層へのダメージを低減して、光導波路層への電流集中を効果的に行う波長可変半導体レーザである。 【構成】 光導波路層7の内部又はその近傍に回折格子12が形成されており、光導波路層7と基板1間の光導波路層7から光のドブロイ波長以下の位置に活性層3を持つリッジ導波型の分布帰還半導体レーザである。光導波路層7への電流注入又は電界印加と、活性層3への電流注入を独立に制御する様に電極6、9、11が設けられている。リッジ導波路形成のためのメサ·エッチングが、光導波路層7の近くまで達しているか、又は、精々光導波路層7の内部に達しているところで止められている。
公开日期1993-10-29
申请日期1992-03-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87254]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
関口 芳信,中田 透. 波長可変半導体レーザ. JP1993283816A. 1993-10-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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