半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 久弥; 久野 裕也; 冨田 一義; 加納 浩之 |
| 发表日期 | 1995-06-02 |
| 专利号 | JP1995142810A |
| 著作权人 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 高温作動時において活性層内の電子がpクラッド層内にオーバフローすることを抑制するとともに、発光強度分布の対称性を保つことができる半導体レーザを提供することにある。 【構成】 n-GaAs基板1上に、n-AlGaAsクラッド層2、多重量子障壁活性層5、p-AlGaAsクラッド層6、p+ -GaAsコンタクト層7が順に積層されている。多重量子障壁活性層5は、i-GaAs活性層3と多重量子障壁層4とi-GaAs活性層3との積層構造からなる。この多重量子障壁層4は、i-AlGaAs障壁層4aとi-GaAs井戸層4bがこの順に交互に合計7層積層されたものである。i-AlGaAs障壁層4aはi-GaAs活性層3よりバンドギャップが大きく、i-GaAs井戸層4bは障壁層4aよりバンドギャップが小さい。 |
| 公开日期 | 1995-06-02 |
| 申请日期 | 1993-11-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87262]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 久弥,久野 裕也,冨田 一義,等. 半導体レーザ. JP1995142810A. 1995-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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