半導体レーザ素子及びその駆動方法
文献类型：专利
| 作者 | 池田 外充 |
| 发表日期 | 1993-06-01 |
| 专利号 | JP1993136528A |
| 著作权人 | CANON INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその駆動方法 |
| 英文摘要 | 【目的】低しきい電流値、高効率、熱的に安定な広帯域に波長可変な半導体レーザおよびその駆動法である。 【構成】互いに基底準位のバンドギャップが異なる複数のAlGaAs発光層5、7と、発光層5、7の間に設けられたこれら発光層よりも大きいバンドギャップをもつ障壁層6と、これら発光層5、7や障壁層6を上下から挟む光·電子の閉じ込め層4、8を含む光導波路構造が設けられている。この構造を挟んで積層されたクラッド層3、9が更に設けられている。障壁層6及び光·電子の閉じ込め層4、8の全部または一部をIn0.5(AlyGa1-y)0.5P(y≧0)で構成し、複数の発光層5、7のうち、よりバンドギャップの大きい発光層7は、よりP型クラッド層9に近く配置することによって、複数の発光層5、7へホールを不均一に注入し、電子を均一に注入することを容易にしている。 |
| 公开日期 | 1993-06-01 |
| 申请日期 | 1991-11-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87265]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CANON INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池田 外充. 半導体レーザ素子及びその駆動方法. JP1993136528A. 1993-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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