リッジ埋込み型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 林 伸彦; 松川 健一 |
| 发表日期 | 1994-10-28 |
| 专利号 | JP1994302907A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ埋込み型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 比較的簡単な工程を経て容易に形成することができ、かつ特性の安定性に優れている、電流非注入部を備えたリッジ埋込み型半導体レーザを提供する。 【構成】 n-GaAs基板11上に、n-Ga0.5 Al0.5 Asクラッド層12、活性層13、p-Ga0.5 Al0.5 Asクラッド層14、p-GaAsキャップ層15を積層してなり、上記p-クラッド層14及びp-キャップ層15をエッチングすることによりメサ状リッジAが構成されており、上記メサ状リッジAの外側にn-電流ブロック層17が形成されており、電流非注入部が、上記メサ状リッジAの上面に形成された所定幅の絶縁層16及び空洞19で構成されている、リッジ埋込み型半導体レーザ10。 |
| 公开日期 | 1994-10-28 |
| 申请日期 | 1993-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87277]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林 伸彦,松川 健一. リッジ埋込み型半導体レーザ及びその製造方法. JP1994302907A. 1994-10-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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