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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者松浦 初美
发表日期1999-08-27
专利号JP1999233875A
著作权人株式会社東芝
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】 生産性の向上及び薄型化を可能にする半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光を発光する半導体レーザと、前記半導体レーザからのレーザ光をモニタして前記半導体レーザの光出力を制御するための半導体受光チップとを備えた半導体レーザ装置において、前記半導体受光チップは、第1導電型の半導体材料上に第2導電型の半導体材料が積層される共に、チップ側面が所定の角度をもって傾斜状に形成された構造を成し、前記半導体受光チップの傾斜面と前記半導体レーザの出射面とが対向するように該半導体受光チップと半導体レーザとを同一平面上にマウントしたことにある。
公开日期1999-08-27
申请日期1998-02-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87278]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社東芝
推荐引用方式
GB/T 7714
松浦 初美. 半導体レーザ装置. JP1999233875A. 1999-08-27.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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