半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 隆二; 堀田 等 |
| 发表日期 | 1997-07-04 |
| 专利号 | JP2669401B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 AlGaInP系赤色半導体レーザにおいて、AlInP埋め込み層をMOVPE法で成長させる際にHClを用いなくても済むようにする。 【構成】 GaInP(井戸)とAlGaInP(障壁)からなるMQW活性層105をAlGaInP光ガイド層104、106で挟み、その両側にAlGaInPクラッド層103、107を配置し、p側のクラッド層107をメサ状に加工し、メサ部側面を活性層よりバンドギャップが大きくかつクラッド層より低屈折率の材料(AlInP)にて埋め込んだ半導体レーザにおいて、AlInP電流ブロック層110の膜厚を0.5μm以下にする。 |
| 公开日期 | 1997-10-27 |
| 申请日期 | 1995-05-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87282]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 隆二,堀田 等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2669401B2. 1997-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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