Semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | KAWAGUCHI, YOSHINOBU; KAMIKAWA, TAKESHI |
| 发表日期 | 2009-12-15 |
| 专利号 | US7633983 |
| 著作权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| 英文摘要 | A semiconductor laser device includes a coating film for adjustment in reflectance formed at a light-emitting portion of semiconductor, wherein the coating film has a thickness d set to satisfy R (d, n)>R (d, n+0.01) and d>λ/n, where n represents a refraction index of the coating film for a lasing wavelength λ, and R (d, n) represents a reflectance at the light-emitting portion depending on the thickness d and the refraction index n. |
| 公开日期 | 2009-12-15 |
| 申请日期 | 2008-01-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87286]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KAWAGUCHI, YOSHINOBU,KAMIKAWA, TAKESHI. Semiconductor laser device. US7633983. 2009-12-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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