窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森 孝嘉; 山中 通成 |
| 发表日期 | 2009-11-19 |
| 专利号 | JP2009272531A |
| 著作权人 | PANASONIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】内部電流狭窄層を有する埋込型の窒化物半導体レーザ装置において、電気抵抗の上昇に伴う動作電圧の増大を抑制して、安定な動作特性が得られるようにする。 【解決手段】n型GaN基板100上に、n型AlGaNクラッド層102、n型GaN光ガイド層103、活性層104、p型GaN光ガイド層105、n型不純物を含むAlGaN第1電流狭窄層106、n型不純物を含むAlGaN第2電流狭窄層107、p型GaN第1再成長層108、及びp型AlGaN第2再成長層109が順次形成されている。第1電流狭窄層106はストライプ状の第1開口部111を有する。第2電流狭窄層107は、第1開口部111と接続し且つ活性層104から離れるに従って拡がっていく第2開口部112を有する。第1開口部111の側壁の基板主面に対する傾斜角は58°よりも大きく、第2開口部112の側壁の基板主面に対する傾斜角は58°以下である。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-11-19 |
| 申请日期 | 2008-05-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87287]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 孝嘉,山中 通成. 窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2009272531A. 2009-11-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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