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集積型半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者岡本 和也; 山田 篤志; 多田 邦雄; 中野 義明
发表日期1996-10-01
专利号JP1996255949A
著作权人NIKON CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名集積型半導体レーザ装置
英文摘要【課題】 半導体レーザからの光を高効率で光導波路に結合させ、高効率で伝搬させることができる集積型半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 集積型半導体レーザー装置は、基板21と、光を発振させるための活性層26と、光を伝搬させるためのコア層23と、活性層26とコア層23との間に配置された第1及び第2のクラッド層24、25とを少なくとも備えている。コア層23は、活性層26を伝搬する光のエバネッセント波領域内に配置されている。第2クラッド層25のキャリア濃度は、第1クラッド層24のキャリア濃度よりも高濃度である。活性層26から出た光は、エバネッセント結合によりコア層23に結合して伝搬される。この時、第1クラッド層24のキャリア濃度が低いため、エバネッセント光の大部分はキャリアによって吸収されることなく伝搬できる。
公开日期1996-10-01
申请日期1996-01-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87296]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIKON CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
岡本 和也,山田 篤志,多田 邦雄,等. 集積型半導体レーザ装置. JP1996255949A. 1996-10-01.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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