半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 紀川 健; 柳澤 浩徳 |
| 发表日期 | 1995-10-27 |
| 专利号 | JP1995283483A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】閾値電流を低減し、さらに高出力を得ることができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【構成】レーザ光の横方向又は垂直共振器を形成したときの共振器端面に対して、高真空装置内で水素ラジカルビームを照射して原子状水素を端面及び端面近傍の半導体中に拡散吸着させ、伝導型を示すあらかじめ導入されている不純物に原子状水素を結び付け、端面及び端面近傍におけるp型及びn型キャリア濃度を最初に設定してある共振器内部の値よりも低く設定し、引き続いて水素ラジカルビームを照射する同一装置内でその場で高熱伝導率のコーティングを施し、所定の反射率を設定した端面保護膜を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-10-27 |
| 申请日期 | 1994-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87298]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,紀川 健,柳澤 浩徳. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1995283483A. 1995-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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