半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田 武; 脇田 紘一; 伊賀 龍三 |
| 发表日期 | 1994-03-04 |
| 专利号 | JP1994061473A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 同一基板上にレーザーと変調器とが集積された半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 有機金属分子線エピタキシー法により、光を単結晶基板上に部分的に照射しながら基板上に半導体薄膜を成長させて、同一基板上にレーザー構造および変調器構造を成長させる。 |
| 公开日期 | 1994-03-04 |
| 申请日期 | 1992-08-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87308]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 武,脇田 紘一,伊賀 龍三. 半導体装置の製造方法. JP1994061473A. 1994-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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