半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 小滝 裕二 |
| 发表日期 | 1994-09-22 |
| 专利号 | JP1994268326A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ装置に関し、量子井戸活性層の利得が高い旨の特性を損なうことなく、光の閉じ込め性も向上させようとする。 【構成】 量子井戸活性層14を挟んで表面側及び裏面側に向かってそれぞれ順に積層された電位障壁層15と電位障壁層13及び電流に対して抵抗機能をもった光閉じ込め層16と光閉じ込め層12及びクラッド層17とクラッド層11を備え、前記電流に対して抵抗機能をもった光閉じ込め層16と光閉じ込め層12は光閉じ込め機能が維持されると共に電流を流し得る間隔を於いて区分けされた各部分からなっている。 |
| 公开日期 | 1994-09-22 |
| 申请日期 | 1993-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87314]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小滝 裕二. 半導体レーザ装置. JP1994268326A. 1994-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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