半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 北嶋 久義; 内田 智士 |
| 发表日期 | 2008-12-25 |
| 专利号 | JP2008311472A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】CODを生じないレーザ出力を高めるとともに、投入電力とレーザ出力との低出力側の比例限度を小さくすることが可能な半導体レーザ素子を提供すること。 【解決手段】基板1と半導体層2と、を備えており、半導体層2には、出射端面2aが形成されており、軸方向xに延びるリッジストライプとしてのp型第2クラッド層5dが形成された、半導体レーザ素子Aであって、リッジストライプとしてのp型第2クラッド層5dのうち出射端面2aに繋がる部分を覆い、かつp型第2クラッド層5dのうち軸方向xにおける中央寄り部分を露出させるとともに、その厚さが100〜500Åとされた絶縁層7をさらに備えている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-12-25 |
| 申请日期 | 2007-06-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87322]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北嶋 久義,内田 智士. 半導体レーザ素子. JP2008311472A. 2008-12-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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