半導体発光素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大坪 孝二; 小路 元 |
| 发表日期 | 1994-11-08 |
| 专利号 | JP1994314855A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体発光素子とその製造方法に関し、平坦で他の光機能素子と積層集積化が容易で、微小共振器を容易に形成することができ、無しきい値動作が可能な高信頼低消費電力の半導体発光素子を提供する。 【構成】 第1導電型半導体基板1上に第1導電型半導体多層膜反射鏡2を形成し、その上に大きいハンドギャップを有する半導体層からなるブロック層4を形成し、このブロック層4の一部を除去して開口を形成し、開口を有するブロック層4の上の全面に共振器構造13を形成し、この共振器構造13のブロック層4の上に形成された部分を除去して平坦化し、その上に反対導電型半導体多層膜反射鏡14を形成し、光の非出射面に電極16を形成し、光の出射面に電極17と無反射コーティング18を形成する。第1導電型半導体多層膜反射鏡2の上に共振器メサを形成した後、その周囲にブロック層を形成することもできる。 |
| 公开日期 | 1994-11-08 |
| 申请日期 | 1993-04-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87326]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大坪 孝二,小路 元. 半導体発光素子とその製造方法. JP1994314855A. 1994-11-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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