半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 井出 聡 |
| 发表日期 | 1996-01-19 |
| 专利号 | JP1996018156A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 温度変動による発振閾値電流の変動を低減することができ、温度が上昇した時、固定バイアスで発振遅延時間を短縮することができ、高速伝送を容易に実現することができる。 【構成】 低温下で動作させた時にはキャリアの注入を阻害し、かつ高温下で動作させた時にはキャリアの注入を阻害しない障壁4を、活性領域のp側及びn側の少なくともどちらか一方に、部分的に挿入してなる。 |
| 公开日期 | 1996-01-19 |
| 申请日期 | 1994-07-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87334]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井出 聡. 半導体発光装置. JP1996018156A. 1996-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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