半導体素子、半導体素子の製造方法及び半導体基板の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 辻村 歩; 長谷川 義晃; 石橋 明彦; 木戸口 勲; 伴 雄三郎 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP2000022283A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子、半導体素子の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Nを含むIII-V族半導体素子の熱応力に起因する反りを抑制し、素子層における結晶欠陥やクラックの発生を防止できる半導体素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 Al2O3基板11の一方の主面上に、GaNバッファ層12、n型GaNコンタクト層13、n型AlGaNクラッド層14、GaN光ガイド層15、GaInN量子井戸活性層16、p型AlGaNクラッド層17、n型GaN電流ブロック層18、p型GaNコンタクト層19等のIII-V族化合物半導体層を形成する一方で、基板11の他方の主面上にZnO層112を形成する。上記のIII-V族化合物半導体層及びZnO層112はともに基板よりも熱膨張係数が小さいため、半導体層形成後の冷却時に反りが発生するのを防止できる。 |
| 公开日期 | 2000-01-21 |
| 申请日期 | 1998-07-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87336]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辻村 歩,長谷川 義晃,石橋 明彦,等. 半導体素子、半導体素子の製造方法及び半導体基板の製造方法. JP2000022283A. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。