半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤田 恭久; 藤井 智; 寺田 敏行; 鈴木 哲哉 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263816A |
| 著作权人 | 新日本製鐵株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるp型層と電極とのオーム性接触を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 II-VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるp型層と電極層との間に、窒素を1×1016cm-3乃至1×1019cm-3含み、かつ炭素を1×1015cm-3乃至1×1019cm-3含む高濃度にドープしたp型オーミック層を介在させることで、この範囲で結晶内に含まれる炭素によりトンネル電流が多く見込めるようになることなどから両者間にオーム性接触が得られる。また、p型オーミック層をも上記p型層と同様の結晶で形成することで、もとのp型層とp型オーミック層との間で格子整合がとれるため結晶欠陥が発生することもない。以上のことから、電気的特性が良く信頼性の高い半導体装置が歩留まり良く製造できる。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87337]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新日本製鐵株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤田 恭久,藤井 智,寺田 敏行,等. 半導体装置及びその製造方法. JP1995263816A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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