面型光双安定レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 小濱 剛孝; 黒川 隆志; 岩村 英俊; 植之原 裕行 |
| 发表日期 | 1993-05-18 |
| 专利号 | JP1993121830A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面型光双安定レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 高速スイッチング性能を得る。 【構成】 n型Al0.15Ga0.85As結晶基板1の主面上にGaAsバッファ層2を成長させ、このGaAsバッファ層2上にn型AlAs/Al0.1Ga0.9As反射層3、引き続いて活性層としてのAl0.3Ga0.7As/GaAs超格子層4,p型Al0.3Ga0.7Asクラッド層5,可飽和吸収層としてのAl0.3Ga0.7As/GaAs超格子層7の3層を含むキャビティー層、引き続いてn型AlAs/Al0.1Ga0.9As反射層8の順で積層させ、n型AlAs/Al0.1Ga0.9As反射層8上にn電極10を設け、p型Al0.3Ga0.7Asクラッド層5上にp電極11を設け、n型Al0.15Ga0.85As結晶基板1にn電極12を設けた。 |
| 公开日期 | 1993-05-18 |
| 申请日期 | 1991-10-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87340]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小濱 剛孝,黒川 隆志,岩村 英俊,等. 面型光双安定レーザ. JP1993121830A. 1993-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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