半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 水由 明 |
| 发表日期 | 1999-12-24 |
| 专利号 | JP1999354882A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ構造を有する半導体レーザにおいて、電流狭窄幅と光閉込め幅とを各々独立に制御可能とし、それにより、確実に光閉込めの範囲内に電流狭窄する。また素子抵抗の増大を抑えて、しかも高い歩留まりで製造できるようにする。 【解決手段】 クラッド層17、20にリッジ構造が形成された半導体レーザにおいて、リッジ構造を、比較的幅の狭い第1リッジ部31と、この第1リッジ部31よりも活性層14に近い側に形成され、該第1リッジ部31とは幅が不連続でそれよりも広い幅とされた第2リッジ部32とから構成する。 |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 申请日期 | 1998-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87342]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水由 明. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1999354882A. 1999-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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