化合物半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤本 英俊; 板谷 和彦; 西尾 譲司 |
| 发表日期 | 2000-06-30 |
| 专利号 | JP2000183466A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】クラッド層からしみ出した光を吸収する層を電圧上昇を生じるヘテロ障壁を生じさせることなく、またクラッド層での吸収を起こさせる要因を作ることなく形成し、導波路以外でのモード形成を阻止することを目的とする。 【解決手段】互いに異なる導電型を有するクラッド層106,111と、該クラッド層106,111に挟まれかつクラッド層よりもエネルギーギャップの小さい活性層108と、少なくとも一方のクラッド層に対して活性層108と反対側に、活性層108よりもエネルギーギャップの大きな材料からなるアンドープの吸収層105とからなるGaN系化合物半導体レーザー。 |
| 公开日期 | 2000-06-30 |
| 申请日期 | 1998-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87343]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本 英俊,板谷 和彦,西尾 譲司. 化合物半導体レーザおよびその製造方法. JP2000183466A. 2000-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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