Semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | HATAGOSHI GENICHI; ITAYA KAZUHIKO; OKUDA HAJIME; ISHIKAWA MASAYUKI |
| 发表日期 | 1989-11-17 |
| 专利号 | JP1989286483A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| 英文摘要 | PURPOSE:To stabilize the transverse mode of a semiconductor laser device by setting, for clad layers of the first and second conductivity types, composition ratios of aluminum x and z of an In1-v(Ga1-xAlx)vP layer and an In1-v(Ga1-zAlz)vP layer in contact with an active layer in a specified range and also setting a thickness (d) of the active layer in a specified range. CONSTITUTION:A semiconductor laser device of the invention comprises a double-hetero structure provided on an N-type GaAs substrate 10 and consisting of a clad layer 11 of In1-v(Ga1-xAlx)vP, an In1-v(Ga1-yAly)v active layer 12, and a clad layer of In1-v(Ga1-zAlz)vP (0<=y |
| 公开日期 | 1989-11-17 |
| 申请日期 | 1988-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87347]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HATAGOSHI GENICHI,ITAYA KAZUHIKO,OKUDA HAJIME,et al. Semiconductor laser device. JP1989286483A. 1989-11-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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