半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 根本 和彦; 小川 正道; 大畑 豊治 |
| 发表日期 | 2000-11-10 |
| 专利号 | JP3127635B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 垂直共振器型の面発光型構成の半導体レーザにおいて、分布反射型多層膜を用いて低しきい値化及び高出力化をはかる。 【構成】 {100}結晶面を主面1Sとする半導体基体1上に、少なくとも分布反射型多層膜3と、第1のクラッド層5と、活性層6と、第2のクラッド層7とを積層形成して、各層の上部に{110}結晶面の{110}、{101}、{1-10}、{10-1}各結晶面によって囲まれた斜面9A、9B‥‥を反射鏡として設ける構成とする。 |
| 公开日期 | 2001-01-29 |
| 申请日期 | 1992-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87349]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 根本 和彦,小川 正道,大畑 豊治. 半導体レーザ. JP3127635B2. 2000-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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