半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 三浦 猛; 國次 恭宏 |
| 发表日期 | 1995-01-24 |
| 专利号 | JP1995022689A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 従来の水平共振器構造の半導体レーザ素子製造技術を用いて垂直共振器構造の面発光レーザ素子を得ることを目的とする。 【構成】 n型GaAs基板15の上に、高反射絶縁膜16を形成した後、高反射絶縁膜16を選択成長マスクとしてn型GaAs基板15上に垂直方向にn型GaAs層17を結晶成長させる。n型GaAs層17の左右側面に垂直な方向に、n型AlGaAsクラッド層3、AlGaAs活性層18、p型AlGaAsクラッド層5、p型GaAsコンタクト層19を順に結晶成長させ、その上に低反射絶縁膜20を形成し、p側電極21、n側電極22を形成して面発光レーザ素子が完成する。 【効果】 従来の水平共振器構造の半導体レーザ素子製造技術を用いて垂直共振構造の面発光レーザ素子を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1995-01-24 |
| 申请日期 | 1993-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87350]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三浦 猛,國次 恭宏. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1995022689A. 1995-01-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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