半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 英樹 |
| 发表日期 | 1997-10-07 |
| 专利号 | JP1997266345A |
| 著作权人 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 単一横モード埋め込み型半導体レーザにおいて、品質、信頼性、歩留まりを向上させる。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型In0.51Ga0.49P クラッド層2、活性層3およびp型InGaAsP 第一クラッド層(波長組成800nm )4の積層上に、メサ形状のリッジストライプ構造のp型In0.51Ga0.49P 第二クラッド層5と、該p型InGaP 第二クラッド層5を挟む両脇部にn型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P 電流ブロック層7を設ける。その後、p型GaAsコンタクト層6を積層し、電極8、9を形成する。 |
| 公开日期 | 1997-10-07 |
| 申请日期 | 1996-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87351]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 英樹. 半導体レーザ. JP1997266345A. 1997-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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