半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 鴫原 君男 |
| 发表日期 | 2009-10-09 |
| 专利号 | JP4387472B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 上クラッド層のリッジ部とリッジ部の外側部分との屈折率差によって生じる幅方向の屈折率分布が導波光に対して与える影響が小さくし、キンク発生の原因である高次モードの発生を防ぐことを課題とする。 【解決手段】 厚さ方向の屈折率分布が活性層7aから見て非対称形となるよう、基板2側のn-AlGaAs下クラッド層10aの厚さ及び屈折率を、リッジ側のp-AlGaAs上クラッド層4aよりそれぞれ厚くかつ大きくなるようにした。 |
| 公开日期 | 2009-12-16 |
| 申请日期 | 1998-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87355]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鴫原 君男. 半導体レーザ. JP4387472B2. 2009-10-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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