レーザモジュールの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山中 英生; 蔵町 照彦; 永野 和彦; 岡崎 洋二 |
| 发表日期 | 2004-01-22 |
| 专利号 | JP2004022918A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザモジュールの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子が密閉容器内に設置されてなるレーザモジュールにおいて、容器内の汚染物質を除去し、良好な特性および信頼性を得る。 【解決手段】ステム1上に、サブマウント5に半導体レーザ素子6が接着されたヒートシンク4と、モニタ用フォトダイオード10とを設置し、これをプラズマ照射装置の真空槽60内の固定台65に設置する。大気から初期の真空度が1×10-2Torr以下になるまで排気(63)後、マイクロ波62、および1×10-2~1×10-1Torrの、アルゴンガス61を導入して10~1000W程度の電力を印加してプラズマ64を発生させ、約60分以下の時間でプラズマ照射を行う。最後に、無反射コーティングが施されたガラス窓3を備えた容器2によって、ドライエア(N2=80%、O2=20%)雰囲気でリングウェルド封止する。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-01-22 |
| 申请日期 | 2002-06-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87357]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山中 英生,蔵町 照彦,永野 和彦,等. レーザモジュールの製造方法. JP2004022918A. 2004-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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