半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 福永 秀樹; 布施 マリオ; 瀬古 保次; 中山 秀生; 植木 伸明; 乙間 広己 |
| 发表日期 | 1996-03-22 |
| 专利号 | JP1996078774A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】活性領域以外の混晶化領域へ流れ込む漏れ電流の小さい埋め込み型半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】半導体基板1上にバッファ層2と第一クラッド3と量子井戸活性層4と第二クラッド層5と中間層6とストライプ状のコンタクト層7の半導体層が順次積層され、不純物の導入により第一クラッド層3と量子井戸活性層4と第二クラッド層5との間の相互拡散によって混晶化した領域11が形成され、不純物が導入されず混晶化していない領域が、レーザ発振が起こる活性領域として混晶化領域により埋め込まれた半導体レーザ装置において、コンタクト層7を除いた領城の中間層6上から不純物が導入されて混晶化領域が形成され、コンタクト層7下部にレーザ発振の生じる活性領域が形成されており、中間層6における禁制帯幅が、コンタクト層7の禁制帯幅と第二クラッド層5の禁制帯幅の中間で量子井戸活性層4における禁制帯幅よりも広くされている。 |
| 公开日期 | 1996-03-22 |
| 申请日期 | 1994-09-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87370]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永 秀樹,布施 マリオ,瀬古 保次,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1996078774A. 1996-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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