半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 森本 泰司 |
| 发表日期 | 2001-06-08 |
| 专利号 | JP3197034B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光強度分布が一様で、かつ小さなスポットに光を絞り込める半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 樹脂レンズ3の中心軸Xの延長線が、半導体レーザ素子1の接合面の中央を通り、半導体レーザ素子1が樹脂2内で最大光強度のレーザ光を放射する中心軸Xの方向と、半導体レーザ素子1が上記最大光強度の1/(自然対数の底e)2の光強度のレーザ光を放射する方向とがなす角度をωとし、樹脂レンズ3の後端円3′と中心軸X間の距離をrとしたときに、半導体レーザ素子1の前面と樹脂レンズ3の後面との距離hをr·(tanω)-1以下にした。 |
| 公开日期 | 2001-08-13 |
| 申请日期 | 1991-12-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87385]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 泰司. 半導体レーザ装置. JP3197034B2. 2001-06-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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