半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 勝山 造 |
| 发表日期 | 1993-01-22 |
| 专利号 | JP1993013884A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は半導体レーザに関するものであり、特に0.9〜1μm帯半導体レーザに関するものである。 【構成】 本発明の半導体レーザは、光導波層がGaInAs量子井戸層6a,6b,6c,6dとこれを隔てる障壁層5a〜5cを有する活性層と、この活性層を上下から挟む光閉込め層4,7とからなり、光閉込め層4,7が燐を含みバンドギャップがGaAsよりも大きい化合物半導体材料、例えば(Aly Ga1-y )Z In1-Z P(0≦y<1)で形成されている。したがって、従来のGaAs/GaInAs材料系と比較し、より大きなバンドギャップ差を得ることができ、半導体レーザの高効率化および高出力化が実現できる。 |
| 公开日期 | 1993-01-22 |
| 申请日期 | 1991-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87387]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 勝山 造. 半導体レーザ. JP1993013884A. 1993-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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