半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 有元 洋志 |
| 发表日期 | 1994-01-28 |
| 专利号 | JP1994021565A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 メサ底面にエッチングストップ層を有し、エッチング面内でばらつきが小さく、かつエッチング制御が容易な埋込み型半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 n-InP基板11上にn-InPバッファ層12を形成した上に、n-InGaAsPエッチングストップ層13を形成する。その上にエピタキシャル成長により第1のn-InPクラッド層14,p-InGaAsP活性層15、第2のp-InPクラッド層16を順次形成し、その上にエッチングマスク17を形成する。次いで第1腐食液により第2のクラッド層16を除去し、前記マスク17及び残った第2のクラッド層16をマスクとして、第2腐食液により前記活性層15を除去し、残った活性層15をマスクとして第1腐食液により第1のクラッド層14を、エッチングストップ層13までエッチングしてメサ構造を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-01-28 |
| 申请日期 | 1992-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87388]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 有元 洋志. 半導体レーザの製造方法. JP1994021565A. 1994-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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