半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 斉藤 肇; 池田 裕章 |
| 发表日期 | 2004-02-20 |
| 专利号 | JP3523432B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ導波路型半導体レーザ素子の高性能化のため、リッジ幅の狭化が行われているが、それにはリッジ幅の精密な制御が必要であり、また、リッジ構造の高さなどの素子構造のパラメータの自由度が必要であり、リッジ側面が汚染を防止することが必要である。従って、本発明は、実屈折率型半導体レーザ装置において狭いリッジ幅を精度良く均一に形成できる半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、リッジ構造を形成するためにGaAsからなるエピガイド層を形成し、前記エピガイド層の1部をエッチングしてストライプ状溝部を形成し、前記ストライプ状溝部を埋めて逆台形状の第3クラッド層及びコンタクト層を積層する工程を有することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2004-04-26 |
| 申请日期 | 1996-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87395]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斉藤 肇,池田 裕章. 半導体レーザ装置の製造方法. JP3523432B2. 2004-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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