半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 岩本 浩治 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP1999186665A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型AlGaInPクラッド層にドープされたp型不純物が拡散により活性層に入り込むのを防止し、特性の劣化を防止することができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 AlGaInP系半導体発光素子において、活性層4とZnまたはMgがp型不純物としてドープされたp型(Alx Ga1-x )y In1-y Pクラッド層5との間に、ZnまたはMgよりも拡散しにくいp型不純物、例えばCが高濃度にドープされたp型Alz Ga1-z Asクラッド層13を設ける。p型Alz Ga1-z Asクラッド層13の厚さは0.05〜0.3μmとし、p型不純物のドーピング濃度は2×1017〜2×1019cm-3とする。活性層4は、アンドープGaInP層を量子井戸層とし、アンドープAlGaInP層を障壁層とするMQW構造、または、アンドープGaInP層を量子井戸層とし、Cなどの拡散しにくいp型不純物がドープされたp型AlGaAs層を障壁層とするMQW構造とする。 |
| 公开日期 | 1999-07-09 |
| 申请日期 | 1997-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87397]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩本 浩治. 半導体発光素子. JP1999186665A. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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