化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 笹沼 克信; 斎藤 真司; ジョン レニー |
| 发表日期 | 2000-04-07 |
| 专利号 | JP2000101142A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 低しきい値、低電圧、高発光効率で動作し、熱抵抗が低く長寿命かつ信頼性の高い発光ダイオードやレーザを開発する。 【解決手段】 電流狭窄構造レーザダイオードにおいて、コンタクト層11をAlGaNとGaNの超格子構造を用いることによりコンタクト層11を薄膜化し、低電圧かつ低しきい値で動作する半導体発光素子を実現する。 |
| 公开日期 | 2000-04-07 |
| 申请日期 | 1998-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87400]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笹沼 克信,斎藤 真司,ジョン レニー. 化合物半導体素子. JP2000101142A. 2000-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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