半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 弓削 省三 |
| 发表日期 | 2009-01-22 |
| 专利号 | JP2009016566A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】コンタクト層との成長界面の抵抗を抑制することが可能な半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 【解決手段】n型GaAs基板10の表面に、クラッド層12、32、活性層13、49、クラッド層14、36、エッチングストップ層15、37、クラッド層16、38、キャップ層18、40、及び保護層19、41等を有する構造体を形成し、この構造体の保護層19、41の表面に酸化シリコンを形成し、パターニングされたマスク45、46として、エッチングストップ層15、37までエッチング加工を行い、レーザ光を放出するストライプ構造の光導波路構造部48、49を形成し、マスク45、46上に開口を有し、光導波路構造部48、49を被う電流ブロック層51を形成し、マスク45、46及び保護層19、41をエッチング除去して、その後、キャップ層18、40及び電流ブロック層51を被うコンタクト層53を形成する工程とを備える。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2009-01-22 |
| 申请日期 | 2007-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87402]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 弓削 省三. 半導体レーザ装置の製造方法. JP2009016566A. 2009-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。