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半導体偏波回転素子

文献类型:专利

作者曲 克明; 川口 悦弘; 吉本 直人; 永沼 充
发表日期1998-03-24
专利号JP1998078521A
著作权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体偏波回転素子
英文摘要【課題】 作製歩留まりの高い半導体偏波回転素子を提供する。 【解決手段】 (100)面を主面とするInP基板21上に[001]方向に光導波層22を形成し、この上にInPサイドクラッド層23を形成する。さらに、この上に、片側が傾斜面が形成され、内部に[001]方向に導波層を有するリッジ構造体40を一定周期で左右反転させて[001]方向に連続して並べて形成した半導体偏波回転素子を構成する。これにより、高効率で作製歩留まりの高い偏波回転素子や利得の偏波依存性の非常に小さな半導体偏波回転素子を実現することができる。
公开日期1998-03-24
申请日期1996-09-04
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87416]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
曲 克明,川口 悦弘,吉本 直人,等. 半導体偏波回転素子. JP1998078521A. 1998-03-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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