半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 上野 芳康 |
| 发表日期 | 1995-07-28 |
| 专利号 | JP1995193313A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 素子抵抗を低減してジュール熱の発生を抑え、かつ、無秩序結晶の採用により発光効率を改善し、高出力動作におけるジュール発熱の発生を抑制する。 【構成】 ストライプ状リッジを[1,1,0]方位に形成する。リッジ形状は上辺が下辺よりも長い台形である。さらに、活性層に無秩序AlGaInP5を用いる。 |
| 公开日期 | 1995-07-28 |
| 申请日期 | 1993-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87444]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上野 芳康. 半導体レーザ. JP1995193313A. 1995-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。