分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阿部 博明; 青野 園子 |
| 发表日期 | 1998-06-30 |
| 专利号 | JP1998178237A |
| 著作权人 | アルプス電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、位相シフト領域を有し、高アスペクト比の微細なグレーティングを表面部に有する電子機器および分布帰還型半導体レーザを製造する方法の提供を目的とする。 【解決手段】 本発明は、半導体基板12上のコンタクト層16の上にレジスト層31を成膜し、その表面に2光束干渉露光法により凸部45を複数一方向に並べて形成し、該凸部を境界凸部45'を境にして2群に分けて境界凸部を含めた一方の群の凸部の同一側の斜面に金属膜48を、他方の群における各凸部の反対側の斜面に金属膜48'を斜法蒸着し、前記金属膜48、48'をマスクとしてエッチングして凹凸部を形成し、ついで前記レジスト層を除去して露出したコンタクト層上に前記凹部の複数並んだ方向に延びるストライプ溝19を形成し、更に電流ストップ層17及び電極層18を形成するものである。 |
| 公开日期 | 1998-06-30 |
| 申请日期 | 1996-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87447]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アルプス電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部 博明,青野 園子. 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法. JP1998178237A. 1998-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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