반도체 디바이스, 이를 포함하는 장치 및 반도체 디바이스의 형성 방법
文献类型：专利
| 作者 | FREUND, JOSEPH MICHAEL |
| 发表日期 | 2009-02-02 |
| 专利号 | KR1020090012209A |
| 著作权人 | 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드 |
| 国家 | 韩国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 반도체 디바이스, 이를 포함하는 장치 및 반도체 디바이스의 형성 방법 |
| 英文摘要 | 본 발명의 반도체 디바이스는 n-사이드 도파관 층과, n-사이드 도파관 층과 접촉하는 활성층 및 활성층과 접촉하는 p-사이드 도파관 층을 포함한다. 전자 차단 층은 p-사이드 도파관 층과 접촉하고, 주기율표의 3족으로부터의두 개의 원소와 주기율표의 5족으로부터의 하나의 원소의 제 1 조성물을 포함한다. 클래딩 층은 전자 차단 층과접촉하는 클래딩 하위층을 포함한다. 클래딩 하위층은 주기율표의 3족으로부터의 두 개의 원소와 주기율표의 5족으로부터의 하나의 원소의 제 2 조성물을 포함한다. 제 2 조성물은 제 1 조성물과는 다르다. |
| 公开日期 | 2009-02-02 |
| 申请日期 | 2006-06-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87451]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FREUND, JOSEPH MICHAEL. 반도체 디바이스, 이를 포함하는 장치 및 반도체 디바이스의 형성 방법. KR1020090012209A. 2009-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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