半導体装置およびその製造方法、ドライエッチング方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 知生 |
| 发表日期 | 2000-09-08 |
| 专利号 | JP2000244065A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法、ドライエッチング方法 |
| 英文摘要 | 【課題】活性層の両側に電流狭窄層を有する半導体レーザのリーク電流を低減する。 【解決手段】先ず、半導体基板1の上面全体に、活性層2、クラッド層3、コンタクト層4を順に形成する。次に、これらの層構造の両側部を除去するドライエッチングを、印加電圧が可変の反応性イオンエッチング装置を用い、印加電圧を0Vと500Vとの間で交互に変化させて行う。これにより、活性層2の側壁の損傷が低減される。その後、エッチングにより除去された部分に、電流狭窄層6を埋め込み再成長させる。 |
| 公开日期 | 2000-09-08 |
| 申请日期 | 1999-02-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87452]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 知生. 半導体装置およびその製造方法、ドライエッチング方法. JP2000244065A. 2000-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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